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HORIBA GD-Profiler 2?
GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀
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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
起訂量
面議
型號規(guī)格
HORIBA GD-Profiler 2? 簡介
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品品牌
HORIBA堀場
產(chǎn)品類型
光譜儀
可售賣地
面議
價格區(qū)間
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供貨總量
面議
售后服務(wù)
完善
產(chǎn)品簡介
GD-OES 是一種可對層狀材料進(jìn)行超快速元素深度剖析技術(shù)，同時能以納米級深度分辨率對所有元素和厚度進(jìn)行定量測量。HORIBA 的脈沖射頻 GDOES 儀器配備差分干涉輪廓術(shù)(DiP)，是材料研究和工藝開發(fā)的理想表征工具。
創(chuàng)新的脈沖射頻源可對各種固體樣品進(jìn)行最佳性能的深度剖析，從最初幾納米到超過 150 微米。采用專利的超快速濺射技術(shù)(UFS)，高分子材料可輕松實(shí)現(xiàn)濺射。此外，該源還可用于制備掃描電子顯微鏡(SEM)所需的樣品表面。可測量所有元素，包括氫、氘、鋰、碳、氮、氧等。專利的差分干涉輪廓測量技術(shù)(DiP)可直接測量深度隨時間變化的函數(shù)關(guān)系，具有納米級精度，且與輝光放電(GD)分析同步進(jìn)行。
所有 HORIBA 輝光放電儀器均采用專利的高動態(tài)范圍檢測器(HDD)，可實(shí)時自動優(yōu)化靈敏度，既能分析單層中的痕量元素，又能無損檢測第二層中的主量元素，無需任何調(diào)整
HORIBA GD-Profiler 2? 詳情介紹
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射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn)，對穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時表面分析。
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射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測試。
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從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。
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HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。
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HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。
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內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時測量濺射坑深度和剝蝕速率。
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寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。
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QUANTUM™ 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。
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專利激光中心定位裝置（專利號：Fr0107986/國際專利種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。
HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時也提高了設(shè)備的靈活性。
HORIBA GD-Profiler 2?產(chǎn)品規(guī)格
輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件，可對導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級深度分辨率。
典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。
不需要超高真空。
使用高動態(tài)探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。
可選附件單色儀配備的也是高動態(tài)探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設(shè)備的靈活性。
脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。
輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。
內(nèi)置等離子清洗功能。
超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。
內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。
用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。
Windows 10 軟件 – 為遠(yuǎn)程安裝提供多個副本
關(guān)于進(jìn)佳儀器
上海進(jìn)佳科學(xué)儀器有限公司，擁有多個國外儀表行業(yè)品牌的授權(quán)代理證，旗下每一個品牌均歷經(jīng)市場的考驗(yàn)。公司團(tuán)隊(duì)擁有豐富的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及扎實(shí)的專業(yè)知識，對各個品牌的產(chǎn)品優(yōu)勢和市場定位有深入了解。公司始終秉持以客戶為中心的理念，致力于為客戶提供全方位、個性化的服務(wù)解決方案。公司代理品牌
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